| 电沉积时间对SiO2-ZnO复合光子晶体形貌及光学特性的影响 |
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| 作者姓名： | 闫刚印 张欣 黄鹏 王垒 戚芳 冯博学 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院, 教育部磁学与磁性材料重点实验室, 兰州 730000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60576013, 60536010, J0630313)和甘肃省自然科学基金(096RJZA054)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜. 以SiO2光子晶体薄膜做模板, 采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体. 利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌. 研究发现, 当沉积时间较短时, ZnO颗粒随机生长在SiO2微球表面. 随着沉积时间的延长, ZnO颗粒均匀地生长在SiO2微球表面, 以至于ZnO颗粒完全掺入模板的间隙. 对所制备的光子晶体薄膜进行反射谱测量, 发现在膜法线方向上, 光子晶体薄膜有光子带隙的出现.
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| 关 键 词： | 光子晶体 电沉积 光子带隙 |
| 收稿时间： | 2009-11-30 |
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