Si-Si02薄膜结构与光致发光的研究 |
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引用本文: | 梁昌振 吴雪梅 欧阳义芳 诸葛兰剑. Si-Si02薄膜结构与光致发光的研究[J]. 苏州大学学报(医学版), 2004, 20(1): 54-57 |
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作者姓名: | 梁昌振 吴雪梅 欧阳义芳 诸葛兰剑 |
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作者单位: | [1]广西大学物理科学与技术学院,广西南宁530000 [2]苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 |
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基金项目: | 江苏省高校自然科学基金资助项目(03KJD140116) |
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摘 要: | 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si-SiO2薄膜,并在各种温度下进行了退火处理.XRD分析表明Si-SiO2薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在,它是富硅或缺氧的结构.在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品的峰位分别在370m、410m、470m和510nm.结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论.另外,还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响.
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关 键 词: | Si-SiO2薄膜 薄膜结构 光致发光 射频磁控溅射 退火 半导体材料 |
文章编号: | 1000-2073(2004)01-0054-04 |
修稿时间: | 2003-08-10 |
Micro-structure and photoluminescence of Si-SiO2 films |
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Abstract: | |
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