| Si-Si02薄膜结构与光致发光的研究 |
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| 引用本文： | 梁昌振,吴雪梅,欧阳义芳,诸葛兰剑.Si-Si02薄膜结构与光致发光的研究[J].苏州大学学报(医学版),2004,20(1):54-57. |
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| 作者姓名： | 梁昌振 吴雪梅 欧阳义芳 诸葛兰剑 |
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| 作者单位： | [1]广西大学物理科学与技术学院，广西南宁530000 [2]苏州大学物理科学与技术学院，江苏苏州215006 |
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| 基金项目： | 江苏省高校自然科学基金资助项目(03KJD140116) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Si-SiO2薄膜，并在各种温度下进行了退火处理．XRD分析表明Si-SiO2薄膜为非晶结构，XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在，它是富硅或缺氧的结构．在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象，探测到样品的峰位分别在370m、410m、470m和510nm．结合激发谱对相应的激发与发光中心进行了讨论．另外，还研究了退火温度对其峰位与峰强的影响．
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| 关 键 词： | Si-SiO2薄膜 薄膜结构 光致发光 射频磁控溅射 退火 半导体材料 |
| 文章编号： | 1000-2073(2004)01-0054-04 |
| 修稿时间： | 2003年8月10日 |
Micro-structure and photoluminescence of Si-SiO2 films |
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