MOS电路稳定性与可靠性研究

为改善MOS电路因栅氧化物N_o~ 沾污引起阈值电压漂移造成的不稳定,对栅氧化物进行高温磷处理,以形成磷硅玻璃膜来俘获栅氧化物中的可动N_o~ ,文中探讨了能有效俘获N_o~ 的最佳磷处理条件。另外,为消除电路管芯栅结构潜存结构缺陷造成的失效,对初测前的电路管芯大圆片施加长时间的热应力老化,实验结果表明,这种大圆片热老化有助于提高产品的后道合格率。