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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
在Pt/SrTiO_3衬底上制备高c轴取向PbTiO_3薄膜
作者姓名:
卢朝靖
作者单位:
湖北大学物理系,武汉大学物理系,湖北大学物理系,武汉大学物理系,湖北大学物理系,湖北大学物理系,湖北大学物理系,湖北大学物理系 武汉 430062,武汉 430072,武汉 430062,武汉 430072,武汉 430062,武汉 430062,武汉 430062,武汉 430062
基金项目:
国家“863”高科技计划
摘 要:
铁电PbTiO_3薄膜是一种优良的热释电材料。特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,因为c轴就是极化轴,并且c轴取向的ε低(约为100),所以它的热释电系数大,介电常数小,热容量小,很有希望成为高性能指数,高灵敏度的红外传感器材料。国外用溅射法在MgO(100)单晶和外延的P_t膜上制备了高c轴取向的PbTi0_3薄膜,并报道了其优良的电学性质。新近发展起来的sol-gel方法与溅射法相比,制备铁电薄膜有组分易控制,设备简单,成
关 键 词:
薄膜 c轴取向 衬底 钛酸铅
收稿时间:
1993-01-03
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