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棱位错引起二次击穿的机理
引用本文:童永承.棱位错引起二次击穿的机理[J].湖北师范学院学报(自然科学版),1982(2).
作者姓名:童永承
摘    要:在半导体器件——特别是功率晶体管失效问题上,二次击穿占据了较为重要的位置。自从1957年提出二次击穿现象后,至今进行了大量的研究,但还未有一套理论予以完全说明。本文企图从半导体晶体材料的缺陷——位错出发,提出一个由位错线形成的微电流管模型,对这种现象加以定性解释。二次击穿是指器件在高电压小电流的情况

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