首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部专业
非线性科学
系统科学
学报及综合类
自然科学丛书、文集、连续性出版物
自然科学教育与普及
自然科学理论与方法论
自然科学现状及发展
自然科学研究方法
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
棱位错引起二次击穿的机理
引用本文:
童永承.棱位错引起二次击穿的机理[J].湖北师范学院学报(自然科学版),1982(2).
作者姓名:
童永承
摘 要:
在半导体器件——特别是功率晶体管失效问题上,二次击穿占据了较为重要的位置。自从1957年提出二次击穿现象后,至今进行了大量的研究,但还未有一套理论予以完全说明。本文企图从半导体晶体材料的缺陷——位错出发,提出一个由位错线形成的微电流管模型,对这种现象加以定性解释。二次击穿是指器件在高电压小电流的情况
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号