| Te—Bi—Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究 |
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| 引用本文： | 龚定农,林沛勋.Te—Bi—Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究[J].辽宁大学学报(自然科学版),1999,26(4):365-368. |
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| 作者姓名： | 龚定农 林沛勋 |
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| 作者单位： | 广州市新技术应用研究所!广州510095 |
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| 摘 要： | 用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－Ｂｉ－Ｓｅ化合物多晶陶瓷半导体材料，用法测得热导率为１０ｍＷ／ｃｍ．Ｋ，用四探针法测得材料电导率为９００－１０００Ω＾－１ｃｍ＾－１；热电法测得材料的温差电动热率达到１８８－２００μＶ／Ｋ，优质系数Ｚｐ，Ｚｎ达到３．５＊１０＾－３／Ｋ。
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| 关 键 词： | 碲化合物 半导体制冷 多晶化合物 陶瓷半导体 |
Synthesis and Application of Te Bi Se Semiconductor Cooling Materials |
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| GONG Dingnong LIN Peixun GONG Xiyang DENG Zhaojin Guangzhou Research Institute for New Technology Application,Guangzhou.Synthesis and Application of Te Bi Se Semiconductor Cooling Materials[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),1999,26(4):365-368. |
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| Authors: | GONG Dingnong LIN Peixun GONG Xiyang DENG Zhaojin Guangzhou Research Institute for New Technology Application Guangzhou |
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| Institution: | GONG Dingnong LIN Peixun GONG Xiyang DENG Zhaojin Guangzhou Research Institute for New Technology Application,Guangzhou 510095 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bi 2Te 3 Bi 2Se 3 Semiconductor cooling |
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