| 在Ge和GaAs衬底上气相生长Znse异质结外延膜 |
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| 引用本文： | 黄玉辉,王小然.在Ge和GaAs衬底上气相生长Znse异质结外延膜[J].东南大学学报(自然科学版),1986(4). |
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| 作者姓名： | 黄玉辉 王小然 |
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| 作者单位： | 南京工学院电子工程系，南京工学院电子工程系 |
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| 摘 要： | 一、引言 ZnSe是重要的发光材料。由于Ge和GaAs与ZnSe的品格常数十分接近,它们品格匹配较好,所以生长出来的ZnSc外延层质量较好;另外,以Ge为衬底成本较低,以GaAs为衬底生长ZnSe光学薄膜,可为光学集成创造有利的条件。
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The Vapour Phase Growth of ZnSe Heteroepitaxy Thin Film on Ge and GaAs Substrate |
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| Huang Yuhui Wang Xiaoran.The Vapour Phase Growth of ZnSe Heteroepitaxy Thin Film on Ge and GaAs Substrate[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),1986(4). |
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| Authors: | Huang Yuhui Wang Xiaoran |
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| Institution: | Huang Yuhui Wang Xiaoran Department of Electronic Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heterojunction vapour phase epitaxy compound semiconductor optical materical |
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