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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
VO2薄膜的制备工艺研究
作者姓名:
卫红
王小辉
唐振方
曹一鸣
刘志宇
作者单位:
广州市光机电技术研究院,广东,广州,510663
摘 要:
采用射频磁控溅射沉积方法,在加热衬底上溅射制备高价态的五氧化二钒(V2O5)薄膜,再结合气氛退火工艺制备VO2薄膜。系统分析了不同溅射工艺参数和退火工艺参数对VO2薄膜结构与光电性能的影响,得到制备VO2薄膜的最佳工艺参数。
关 键 词:
射频磁控溅射
VO2薄膜
制备工艺
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