| 椭圆偏振光研究N2^＋注入Si的退火特性 |
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| 引用本文： | 马德录,宋昭朋. 椭圆偏振光研究N2^＋注入Si的退火特性[J]. 辽宁大学学报(自然科学版), 1989, 0(3): 37-40 |
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| 作者姓名： | 马德录 宋昭朋 |
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| 作者单位： | 辽宁大学物理系，辽宁大学物理系，辽宁大学物理系，辽宁大学物理系，辽宁大学物理系，辽宁大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2~+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2~+注入Si的退火特性,结果表明:N_2~+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。
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| 关 键 词： | 离子注入 辐射损伤 退火 偏振光 |
The Method of Elliptically Polarized Light Studies Annealing Behaviours of Imphantation N_2~+ lato Si |
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| Ma Delu Shong Zhaopeng Shu Tieli Shang Deying Ma Goujing Zhao Shuyu Departmant of Physics Liao Ning University. The Method of Elliptically Polarized Light Studies Annealing Behaviours of Imphantation N_2~+ lato Si[J]. Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition), 1989, 0(3): 37-40 |
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| Authors: | Ma Delu Shong Zhaopeng Shu Tieli Shang Deying Ma Goujing Zhao Shuyu Departmant of Physics Liao Ning University |
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| Affiliation: | Ma Delu Shong Zhaopeng Shu Tieli Shang Deying Ma Goujing Zhao Shuyu Departmant of Physics Liao Ning University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion Implantation Radiation damage Annealing Elliptically I'olarized light |
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