| 供压敏元件用的氢化微晶硅薄膜的制备 |
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| 引用本文： | 曹子祥,陈怀溥.供压敏元件用的氢化微晶硅薄膜的制备[J].西北大学学报,1989,19(2):9-13. |
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| 作者姓名： | 曹子祥 陈怀溥 |
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| 作者单位： | 西北大学物理系，西北大学物理系，西北大学物理系 |
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| 摘 要： | 供压敏元件用的n型氢化微晶硅薄膜用射频辉光放电法己被制成,并对它进行了研究。用改变工艺参数的办法可得到电导率为2.SScm~(-1)～16Scm~(-1)的微晶硅薄膜。由X-射线衍射图和喇曼谱,测定晶粒尺寸和结晶体体积比分别为42～68A和60～70％。随着工艺条件的改变,在玻璃衬底上8000A厚的n型微晶硅膜的纵向效应灵敏系数(G因子)可达到-24.4～-30.5。
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| 关 键 词： | 氢化微晶硅膜 压敏元件 非晶硅 |
Preparation of Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films for Pressure Sensor Applications |
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| Cao Zixiang,Chen Huaipua,Wang Sijie.Preparation of Hydrogenated Microcrystalline Silicon Films for Pressure Sensor Applications[J].Journal of Northwest University(Natural Science Edition),1989,19(2):9-13. |
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| Authors: | Cao Zixiang Chen Huaipua Wang Sijie |
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| Institution: | Cao Zixiang;Chen Huaipua;Wang Sijie
Department of Physics |
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| Keywords: | Hydrogenated microcrystalline silicon Pressure sensor Amorphous silicon |
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