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| N^＋离子轰击对过渡金属Nb,MO,Ti与Si接触界面的影响 | |
| 引用本文： | 王永瑜,李兴凯.N^＋离子轰击对过渡金属Nb,MO,Ti与Si接触界面的影响[J].西北大学学报,1989,19(4):47-48. |
| 作者姓名： | 王永瑜 李兴凯 |
| 作者单位： | 西北大学物理系，西北大学物理系，西北大学物理系，西北大学物理系，西北大学物理系 |
| 摘 要： | 为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N~ 离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。 |
| 关 键 词： | 集成电路 过渡金属 离子轰击 影响 |
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