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| 铁电薄膜BIT／PLZT／BIT存储器特性的测试 | |
| 作者姓名： | 孙奉娄 黄新堂 |
| 作者单位： | [1]中南民族学院电子工程系 [2]华中师范大学 |
| 摘 要： | 讨论了铁电薄膜记忆特性的检测方法，研制了专用的测试仪器，并利用它测试了Ａｕ／ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｎ－Ｓｉ铁电薄膜的记忆性能。发现其具有二极管特性且２个读信号对应的检测电流幅度有明显的区别。 |
| 关 键 词： | 铁电薄膜 非易失性记忆 测试 记忆性能 存储器 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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