| 半导体器件高功率微波毁伤阈值实验 |
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| 引用本文： | 刘亿亮,李立萍,杨晓波.半导体器件高功率微波毁伤阈值实验[J].实验科学与技术,2004,2(3):7-9,16. |
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| 作者姓名： | 刘亿亮 李立萍 杨晓波 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,成都,610054 |
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| 摘 要： | 本文研究用实验方法测定半导体器件在高功率微波(HPM)照射下的毁伤阈值。介绍了实验系统的结构、原理,分析了如何用数值方法确定半导体器件所吸收的微波功率,对实验数据进行了分析。
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| 关 键 词： | 高功率微波 毁伤阈值 电磁场计算 |
| 文章编号： | 1672-4550(2004)03-0007-04 |
| 修稿时间： | 2004年3月20日 |
Semiconductor's High-Power Microwave Threshold of Destruction Experiment |
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| Liu Yiliang,Li Liping,Yang Xiaobo.Semiconductor''''s High-Power Microwave Threshold of Destruction Experiment[J].Experiment Science & Technology,2004,2(3):7-9,16. |
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| Authors: | Liu Yiliang Li Liping Yang Xiaobo |
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