| 硅化物／硅欧姆接触特性研究 |
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| 引用本文： | 张国炳,武国英.硅化物／硅欧姆接触特性研究[J].北京大学学报(自然科学版),1993,29(5):588-594. |
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| 作者姓名： | 张国炳 武国英 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究所
(张国炳，武国英，陈文茹，徐立，郝一龙，隋小平)，北京大学微电子研究所(王阳元) |
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| 摘 要： | 本文报道了利用ＸＲＤ、ＲＢＳ、ＳＰＲ、ＡＥＳ、ＳＥＭ、ＴＥＭ和Ｋｅｌｖｉｎ电阻桥法（ＣＢＫＲ）等测量技术系统地研究化钛／硅，硅化钴／硅欧姆接触特性。实验结果表明：硅化钛（硅化钴）／硅欧姆接触电阻率（Ｐｃ）不仅受表面层掺杂浓度而且也受退火温度，杂财分布及硅化物／硅介面形貌等因素影响。
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| 关 键 词： | 欧姆接触 硅化物 杂质再分布 介面 |
Characterization of Silicide/Si Ohmic Contacts |
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| ZHANG Guobing,WU Guoying,CHEN Wenru,XU Li,HAO YilongSUI Xiaoping,WANG Yangyuan.Characterization of Silicide/Si Ohmic Contacts[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,1993,29(5):588-594. |
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| Authors: | ZHANG Guobing WU Guoying CHEN Wenru XU Li HAO YilongSUI Xiaoping WANG Yangyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ohmic Contact Silicide Doping redistribution Morphologies Interface |
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