| Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究 |
| |
| 引用本文： | 杨翰飞,杨治美,廖熙,龚敏,孙小松.Si基3C-SiC反向外延的选择生长和残余应力研究[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(1):121-125. |
| |
| 作者姓名： | 杨翰飞 杨治美 廖熙 龚敏 孙小松 |
| |
| 作者单位： | 1. 四川大学物理科学与技术学院四川省微电子重点实验室,成都,610064
2. 四川大学材料科学与技术学院,成都,610064 |
| |
| 摘 要： | 采用一种新的LPCVD方法在Si衬底上通过SiO2作为掩蔽层，进行3C-SiC的反向外延的选择性生长.TEM，AFM和XRD结果显示3C-SiC沿（111）面成功实现了较高质量的外延选择生长，其界面清晰，掩蔽良好.生长出的3C-SiC薄膜为织构晶体，单晶性良好.残余应力测试表明3C-SiC薄膜晶格发生压应变，选择性生长区域的残余应力显著降低.据此结果建立了残余应力的形成机制.
|
| 关 键 词： | 立方碳化硅 选择生长 掩蔽层 衍射峰位置 残余应力 |
Study on selective reverse epitaxial growth and its residual stress of 3C-SiC/Si |
| |
| YANG Han-Fei,YANG Zhi-Mei,LIAO Xi,GONG Min and SUN Xiao-Song.Study on selective reverse epitaxial growth and its residual stress of 3C-SiC/Si[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2011,48(1):121-125. |
| |
| Authors: | YANG Han-Fei YANG Zhi-Mei LIAO Xi GONG Min and SUN Xiao-Song |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | 3C-SiC selective epitaxial growth mask layer XRD peak position residual stress |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《四川大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《四川大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
