| 热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响 |
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| 引用本文： | 聂国政,唐京武,许英. 热处理对以Al2O3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响[J]. 湖南文理学院学报(自然科学版), 2016, 28(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1672-6146.2016.01.005 |
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| 作者姓名： | 聂国政 唐京武 许英 |
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| 作者单位： | 湖南科技大学 物理与电子科学学院,湖南湘潭,411201;湖南科技大学 物理与电子科学学院,湖南湘潭,411201;湖南科技大学 物理与电子科学学院,湖南湘潭,411201 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11447212;11204076)，湖南省自然科学基金(2015JJ3060)，湖南省教育厅科学研究项目(11C0555) |
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| 摘 要： | 采用阳极氧化法制备了Al_2O_3绝缘材料,并制备了以Al_2O_3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT)。Al_2O_3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7 V。Al_2O_3膜MIS结构电容—电压(C–V)特性的平带电压平移量数据表明,Al_2O_3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al_2O_3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al_2O_3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al_2O_3膜的OTFT器件性能得到显著的改善。
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| 关 键 词： | 有机薄膜晶体管 阳极氧化Al2O3绝缘层 热处理 |
Effect of annealing on organic thin-film transistor based on high-k anodizing Al2O3 dielectric |
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| Nie Guozheng,Tang Jingwu,Xu Ying. Effect of annealing on organic thin-film transistor based on high-k anodizing Al2O3 dielectric[J]. Journal of Hunan University of Arts and Science:Natural Science Edition, 2016, 28(1): 15-18. DOI: 10.3969/j.issn.1672-6146.2016.01.005 |
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| Authors: | Nie Guozheng Tang Jingwu Xu Ying |
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