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| SiC电子输运性质研究及散射率的简化子计算 | |
| 作者姓名： | 全宏俊 汪秉宏 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学近代物理系及非线性科学中心, |
| 基金项目： | 国家重点基础研究规划项目(九七三项目)、国家攀登计划"非线性科学”、国家自然科学基金重点项目(批准号: 19932020)及国家自然科学基金(批准号:19974039,59876039)项目资助 |
| 摘 要： | 用流体动力学平衡方程研究了4H-SiC的漂移速度,平均电子能量等输运性质,并考虑了非抛物能带效应和各向异性效应.同时对散射率的计算进行了简化,并用简化公式研究了3C-SiC的线性和非线性输运,在场强不超过200kV/cm时,引起的误差仍在允许范围内. |
| 关 键 词： | 输运性质 非抛物能带效应 各向异性 散射率 |
| 修稿时间： | 2000-07-20 |
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