| 半导体激光器的电导数测试和可靠性分析 |
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| 引用本文： | 金恩顺,石家纬,马靖,李正庭,高鼎三.半导体激光器的电导数测试和可靠性分析[J].吉林大学学报(理学版),1993(2). |
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| 作者姓名： | 金恩顺 石家纬 马靖 李正庭 高鼎三 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与技术研究所，吉林大学电子科学与技术研究所，吉林大学电子科学与技术研究所，吉林大学电子科学与技术研究所，吉林大学电子科学与技术研究所 集成光电子国家联合实验室吉林大学实验区，长春 130023，集成光电子国家联合实验室吉林大学实验区，长春 130023，集成光电子国家联合实验室吉林大学实验区，长春 130023，集成光电子国家联合实验室吉林大学实验区，长春 130023，集成光电子国家联合实验室吉林大学实验区，长春 130023 |
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| 摘 要： | 采用电导数测量技术,测量了质子轰击型GaAs/GaAlAs激光器的器件参数,探讨了这些参数与半导体激光器可靠性的关系.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 器件参数 可靠性 |
Electrical Derivative Measurement and Reliability Analysis of Semiconductor Lasers |
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| Jin Enshun,Shi Jiawei,Ma Jing,Li Zhengting,Gao Dingsan.Electrical Derivative Measurement and Reliability Analysis of Semiconductor Lasers[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1993(2). |
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| Authors: | Jin Enshun Shi Jiawei Ma Jing Li Zhengting Gao Dingsan |
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| Abstract: | The present paper covers some experimental results about the device parameters and degradation of GaAs/GaAlAs proton bombarded lasers. These experimental results were measured by electrical derivative technics. The above results are discussed. |
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| Keywords: | semiconductor laser device parameter reliability |
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