掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究 |
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引用本文: | 钟志有,兰椿,汪浩. 掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究[J]. 中南民族大学学报(自然科学版), 2014, 0(1): 51-57 |
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作者姓名: | 钟志有 兰椿 汪浩 |
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作者单位: | 1 中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074; 2 中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,武汉430074 |
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基金项目: | 湖北省自然科学基金资助项目( 2011CDB418) ; 中南民族大学学术团队基金资助项目( XTZ09003) |
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摘 要: | 以二氧化钛(TiO2)掺杂的氧化锌(ZTO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积了ZTO半导体薄膜,利用可见-紫外光分光光度计、四探针仪测试以及多种光学表征方法,研究了陶瓷靶中TiO2含量对ZTO薄膜光学性质和光电综合性能的影响.实验结果表明:ZTO薄膜的折射率表现为正常的色散特性,其色散行为遵循有效单振子模型.TiO2含量对ZTO薄膜的电阻率、透过率、折射率、消光系数和光学带隙等具有不同程度的影响,当TiO2的质量分数为3%时,ZTO薄膜的电阻率最低、可见光平均透过率最高、光电综合性能最好.
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关 键 词: | 氧化锌薄膜 掺杂 光学性质 |
Preparation and Optical Properties of TiO2-Doped Zinc Oxide Semiconductor Thin Films |
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Abstract: | |
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Keywords: | zinc oxide thin films doping optical properties |
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