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掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究
引用本文:钟志有,兰椿,汪浩. 掺钛氧化锌半导体薄膜制备及其光学性质的研究[J]. 中南民族大学学报(自然科学版), 2014, 0(1): 51-57
作者姓名:钟志有  兰椿  汪浩
作者单位:1 中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074; 2 中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,武汉430074
基金项目:湖北省自然科学基金资助项目( 2011CDB418) ; 中南民族大学学术团队基金资助项目( XTZ09003)
摘    要:以二氧化钛(TiO2)掺杂的氧化锌(ZTO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上沉积了ZTO半导体薄膜,利用可见-紫外光分光光度计、四探针仪测试以及多种光学表征方法,研究了陶瓷靶中TiO2含量对ZTO薄膜光学性质和光电综合性能的影响.实验结果表明:ZTO薄膜的折射率表现为正常的色散特性,其色散行为遵循有效单振子模型.TiO2含量对ZTO薄膜的电阻率、透过率、折射率、消光系数和光学带隙等具有不同程度的影响,当TiO2的质量分数为3%时,ZTO薄膜的电阻率最低、可见光平均透过率最高、光电综合性能最好.

关 键 词:氧化锌薄膜  掺杂  光学性质

Preparation and Optical Properties of TiO2-Doped Zinc Oxide Semiconductor Thin Films
Abstract:
Keywords:zinc oxide thin films   doping   optical properties
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