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| 双晶衍射研究O2^＋注入Si | |
| 作者姓名： | 马德录 苏铁力 |
| 作者单位： | Ma Delu Shu Tieli Wang Yuenan Huang Xiaoling Department of Physics，Liaoning University |
| 摘 要： | 本文用双晶衍射给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ—Ｍａｒｇｕａｒａｔ法模拟实验曲线，根据ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ后，晶格应变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化．我们还给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的椭偏参数、△，并将它们换算成折射率ｎ．结果表明，Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ引起晶体微观结构的变化—晶格应变与晶体宏观光学性质—折射率的变化基本上一致． |
| 关 键 词： | 离子注入 双晶衍射 折射率 硅 |
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