| 砷化镓场效应管的潜在性失效 |
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| 引用本文： | 桂建勋,刘庆祥.砷化镓场效应管的潜在性失效[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1997,30(5):585-590. |
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| 作者姓名： | 桂建勋 刘庆祥 |
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| 作者单位： | 中国民用航空学院(桂建勋)，电子工业部第１３研究所(刘庆祥)，天津大学(王文生) |
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| 摘 要： | 为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。
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| 关 键 词： | 砷化镓 场效应管 静电放电 失效 潜在性失效 |
STUDY OF POTENTIAL FAILURES OF THE GaAs MESFET OWING TO ELECTROSTATIC DISCHARGE |
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| Gui Jianxun.STUDY OF POTENTIAL FAILURES OF THE GaAs MESFET OWING TO ELECTROSTATIC DISCHARGE[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),1997,30(5):585-590. |
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| Authors: | Gui Jianxun |
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| Institution: | Gui Jianxun(Civil Aviation Institute of China) Liu Qingxiang(Ministry of the Electronics Industry) Wang Wensheng(Tianjin University) |
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| Abstract: | The GaAs MESFET is a key component in microwave technology. Based on experiments and applications, this paper probes into the mechanism of its potential failures, with the ultimate aim of increasing the safe maximum value of electrostatic discharge for devices in general. |
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| Keywords: | GaAs MESFET electrostatic discharge potential failure Schottky barrier |
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