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GaAsMESFET模型参数自动提取方法的研究
引用本文:赵雅兴 王天海. GaAsMESFET模型参数自动提取方法的研究[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版), 1997, 30(3): 331-336
作者姓名:赵雅兴 王天海
摘    要:提出了一种基于PSPICE4.02通用电路模拟程序与优化技术相结合提取GaAsMESFET模型参数的方法,根据实例的GaAsMESFET小信号S参数与大信号S参数,利用约束优化技术提取模型等电路元件参数,并利用该电路模型参数设计制作1了3.7GHz-4.2GHz和5.2GHz=-5.8GHz GaAsMESFET放大器,给出了设计和测试结果并验证了该方法的正确性。

关 键 词:PSPICE 模型参数 砷化镓 自动提取法 MESFET

DEVELOPMENT OF METHOD FOR AUTO OBTAINING GaAsMESFET MODEL PARAMETERS
Zhao Yaxing Wang Tianhai Dai Jufeng. DEVELOPMENT OF METHOD FOR AUTO OBTAINING GaAsMESFET MODEL PARAMETERS[J]. Journal of Tianjin University(Science and Technology), 1997, 30(3): 331-336
Authors:Zhao Yaxing Wang Tianhai Dai Jufeng
Affiliation:Dept. of Electronic Eng.
Abstract:
Keywords:GaAsMESFET   PSPICE   model parameter   optimization technique  
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