首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

GaAsMESFET模型参数自动提取方法的研究
引用本文:赵雅兴,王天海.GaAsMESFET模型参数自动提取方法的研究[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1997,30(3):331-336.
作者姓名:赵雅兴  王天海
摘    要:提出了一种基于PSPICE4.02通用电路模拟程序与优化技术相结合提取GaAsMESFET模型参数的方法,根据实例的GaAsMESFET小信号S参数与大信号S参数,利用约束优化技术提取模型等电路元件参数,并利用该电路模型参数设计制作1了3.7GHz-4.2GHz和5.2GHz=-5.8GHz GaAsMESFET放大器,给出了设计和测试结果并验证了该方法的正确性。

关 键 词:PSPICE  模型参数  砷化镓  自动提取法  MESFET

DEVELOPMENT OF METHOD FOR AUTO OBTAINING GaAsMESFET MODEL PARAMETERS
Zhao,Yaxing,Wang,Tianhai,Dai,Jufeng.DEVELOPMENT OF METHOD FOR AUTO OBTAINING GaAsMESFET MODEL PARAMETERS[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),1997,30(3):331-336.
Authors:Zhao  Yaxing  Wang  Tianhai  Dai  Jufeng
Institution:Dept. of Electronic Eng.
Abstract:
Keywords:GaAsMESFET    PSPICE    model  parameter    optimization  technique  
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号