| 等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 韩世忠,庞庆,严红,陈京会,何林,郑鹏.等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜的研究[J].武汉科技大学学报(自然科学版),2008,31(4). |
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| 作者姓名： | 韩世忠 庞庆 严红 陈京会 何林 郑鹏 |
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| 作者单位： | 1. 武汉数字工程研究所,湖北,武汉,430074
2. 武汉科技大学化学工程与技术学院,湖北,武汉,430081 |
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| 摘 要： | 讨论了在不同基板温度下用等离子体辅助化学气相沉积法生长ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)分析仪、反射式高能电子衍射(RHEED)仪及X射线光电子能谱(XPS)分析ZnO薄膜的特征.分析结果显示,在基板温度为300 ℃,二乙基锌(DEZ)流量为50 mL/min条件下可得到优取向高晶化的ZnO薄膜.光学性能分析表明,ZnO薄膜是透明的,在可视区峰值透光率高达85%.
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| 关 键 词： | 等离子体 化学气相沉积(CVD) |
Growth of highly-oriented zinc oxide thin films by plasma enhanced chemical vapor deposition |
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| Han Shizhong,Pang Qing,Yan Hong,Chen Jinghui,He Lin,Zheng Peng.Growth of highly-oriented zinc oxide thin films by plasma enhanced chemical vapor deposition[J].Journal of Wuhan University of Science and Technology(Natural Science Edition),2008,31(4). |
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| Authors: | Han Shizhong Pang Qing Yan Hong Chen Jinghui He Lin Zheng Peng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO |
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