|
|||||
|
|
| MPCVD法工艺特性对SnO2薄膜导电性的影响 | |
| 引用本文： | 刘艳红,刘祖黎.MPCVD法工艺特性对SnO2薄膜导电性的影响[J].华中理工大学学报,1998,26(2):13-15. |
| 作者姓名： | 刘艳红 刘祖黎 |
| 作者单位： | 华中理工大学物理系 |
| 摘 要： | 研究了磁等离子化学气相沉积的不同工艺条件对ＳｎＯ２薄膜导电性能的影响，实验结果表明，外加适当位移，大小的纵向磁镜场，可使等离子体化学气相沉积技术中制备ＳｎＯ２薄膜所需的氧气流量降低，沉积时间缩短，且制得的薄膜电阻大大降低，轴向分布均匀性明显增加，对以上结果进行了分析和讨论。 |
| 关 键 词： | MPCVD 磁镜场 薄膜 二氧化锡薄膜 导电性 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |