增强型AIGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析 |
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引用本文: | 郝跃,王冲,倪金玉,冯倩,张进城,毛维. 增强型AIGaN/GaN槽栅HEMT研制与特性分析[J]. 中国科学(E辑), 2009, 39(1): 119-123 |
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作者姓名: | 郝跃 王冲 倪金玉 冯倩 张进城 毛维 |
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作者单位: | 西安电子科技大学微电子研究所;宽禁带半导体材料与器件重点实验室; |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号:60736033) |
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摘 要: | 成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型A1GaN/GaN HEMT.栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1.5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大跨导210mS/mm,阈值电压为0.12V,器件在500℃N2气氛中5min退火后阈值电压提高到0.53V.深入研究发现,当器件槽深15nm时,相比槽深10nm器件饱和电流和跨导有所减小,但阈值电压从0.12V提高到0.47V.利用不同刻蚀深度A1GaN/GaN异质结的C-V特性,深入研究了阈值电压、栅控能力与刻蚀深度的关系.
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关 键 词: | 增强型高电子迁移率晶体管 AlGaN/GaN 槽栅 阈值电压 |
收稿时间: | 2007-11-15 |
修稿时间: | 2008-03-20 |
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Abstract: | |
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Keywords: | nullzz |
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