晶体价电子结构的理论晶格参量 |
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引用本文: | 谢佑卿,马柳莺.晶体价电子结构的理论晶格参量[J].中南大学学报(自然科学版),1985(1). |
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作者姓名: | 谢佑卿 马柳莺 |
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作者单位: | 中南矿冶学院材料科学与工程系,中南矿冶学院材料科学与工程系 |
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摘 要: | 基于Pauting的键距公式,证明了对应于确定的杂化态和晶体结构类型,理论晶格参量存在的唯一性和可求性,依据理论晶格参量便可计算出理论结合能和熔点。从而使一定的电子结构状态对应有一套理论特征参量,将这些理论特征参量附于杂价表中或建立特征参量随杂化成分变化的特征参量图,使确定物质电子结构状态的分析工作变得直观而又准确。对a-Fe和Ni的电子结构分析表明,晶格参量、原子磁矩和结合能几乎靠近各自特定的杂化成份C_t~0,显示了固体与分子经验电子理论的正确性。
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