| AlN能带及态密度的密度泛函理论研究 |
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| 引用本文： | 王腊节,聂招秀,刘德政.AlN能带及态密度的密度泛函理论研究[J].四川理工学院学报(自然科学版),2010,23(4):411-413. |
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| 作者姓名： | 王腊节 聂招秀 刘德政 |
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| 作者单位： | 1. 南昌大学共青学院,江西,九江,332020
2. 重庆大学数理学院,重庆,400030 |
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| 摘 要： | 文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了A lN晶体的能带结构和态密度曲线。研究表明,A lN的价带由-15.3eV－-12.3eV的下价带和-6.2eV－0eV的上价带区组成,价带顶出现三个子带：简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带（距带顶0.2eV）;导带主要是由A l的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测A lN价带空穴具有大的有效质量;A lN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值。
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| 关 键 词： | AlN 能带 能隙 密度泛函理论 |
Density Functional Theory Study on Energy Band and Density of States of AlN |
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| WANG La-Jie,NIE Zhao-Xiu,LIU De-Zheng.Density Functional Theory Study on Energy Band and Density of States of AlN[J].Journal of Sichuan University of Science & Engineering:Natural Science Editton,2010,23(4):411-413. |
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| Authors: | WANG La-Jie NIE Zhao-Xiu LIU De-Zheng |
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| Keywords: | AlN |
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