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| LMTO方法在β－Si_3N_4能带结构和静态性质研究中的应用 | |
| 引用本文： | 吴孙桃,王仁智,陈传鸿.LMTO方法在β－Si_3N_4能带结构和静态性质研究中的应用[J].厦门大学学报(自然科学版),1995(1). |
| 作者姓名： | 吴孙桃 王仁智 陈传鸿 |
| 基金项目： | 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构开放实验室与国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线求得晶体的平衡晶格常数ａ＿０、体模量Ｂ＿０和结合能Ｅ＿（ｃｏｈ），引用Ｌｏｗｄｉｎ微扰法减少计算工作量，计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符，本文计算量比从头算赝势法少很多，仅用７４阶久期方程，便获得合理的结果。 |
| 关 键 词： | β－Si＿3N＿4，电子能带，静态性质 |
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