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| 一种测定a—Si∶H隙态密度的新方法 | |
| 引用本文： | 王印月 ,张仿清 ,陈光华.一种测定a—Si∶H隙态密度的新方法[J].兰州大学学报(自然科学版),1985(4). |
| 作者姓名： | 王印月 张仿清 陈光华 |
| 摘 要： | 用强场发射电流法(FEC)测量了 GD—a—si∶H 膜的隙态密度分布,得到接近 E_F 处的 N(E)为5×10~(16)/cm~3ev,N(E)的分布趋势和形状与场效应法所得结果一致. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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