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| 考虑电畴结构以后对Heywang-Jonker模型的修正 | |
| 引用本文： | 陈志雄,付波,谭华溢.考虑电畴结构以后对Heywang-Jonker模型的修正[J].华中科技大学学报(自然科学版),1986(1). |
| 作者姓名： | 陈志雄 付波 谭华溢 |
| 作者单位： | 华中工学院固体电子学系 (陈志雄，付波)，华中工学院固体电子学系(谭华溢) |
| 基金项目： | 中国科学院科学基金资助的课题 |
| 摘 要： | 本文从体内载流子对自发极化屏蔽的机制出发,分析了过去在解释PTCR效应的理论中所忽略了的90°电畴结构,以及电畴结构随温度变化时对铁电补偿程度的影响,用稍微修正了的Heywang-Jonker模型,对施主掺杂钛酸钡半导体陶瓷中的PTCR效应作出进一步的解释。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |