考虑电畴结构以后对Heywang-Jonker模型的修正 |
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作者姓名: | 陈志雄 付波 谭华溢 |
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作者单位: | 华中工学院固体电子学系(陈志雄,付波),华中工学院固体电子学系(谭华溢) |
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基金项目: | 中国科学院科学基金资助的课题 |
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摘 要: | 本文从体内载流子对自发极化屏蔽的机制出发,分析了过去在解释PTCR效应的理论中所忽略了的90°电畴结构,以及电畴结构随温度变化时对铁电补偿程度的影响,用稍微修正了的Heywang-Jonker模型,对施主掺杂钛酸钡半导体陶瓷中的PTCR效应作出进一步的解释。
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