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β相V2O5纳米棒的生长及其光电性能
作者姓名:边继明  赵佳明  刘宏  颜廷辉  骆英民
作者单位:1.大连理工大学 物理与光电工程学院,辽宁 大连 116024; 2.解放军65559部队,辽宁 本溪 117022;3.解放军65426部队,黑龙江 哈尔滨 150086
基金项目:国家自然科学基金资助项目(10804014);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT10LK01)
摘    要:为研究退火温度对生长β相V2O5纳米棒的晶体结构、光学和电学性质的影响规律,采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上生长了非晶态V2O5薄膜,样品经一定温度区间的O2氛围退火后,开始生成β相V2O5纳米棒。实验表明,在一个狭窄温度范围内,V2O5纳米棒光电性能呈现温度敏感特性;室温下,所制样品在紫外及近紫外线波长范围具有很高的吸收率,在近红外线波长范围具有较高的透射率;其中,经500 ℃热处理的样品,高低温电阻变化了2个数量级,相变温度出现在350 ℃左右。

关 键 词:V2O5  智能激光防护  纳米棒  光电性能
收稿时间:2011-12-27
修稿时间:2011-12-27
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