| 0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究 |
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| 引用本文： | 英敏菊,董西亮. 0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2008, 44(4) |
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| 作者姓名： | 英敏菊 董西亮 |
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| 作者单位： | 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京市辐射中心:100875,北京 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市科学技术研究院萌芽计划项目，北京师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.
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| 关 键 词： | 离子注入 晶格应变 X射线衍射光谱 |
WEAK DAMAGE INDUCED BY ION IMPLANTATION IN GaInP/GaInAsP QUANTUM WELL SAMPLES |
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| YING Minju,DONG Xiliang. WEAK DAMAGE INDUCED BY ION IMPLANTATION IN GaInP/GaInAsP QUANTUM WELL SAMPLES[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2008, 44(4) |
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| Authors: | YING Minju DONG Xiliang |
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