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Ga12-nAs n(n=0~12)系列团簇基态结构及稳定性的研究
引用本文:潘仁奇,姜科,朱挥毫,王秀敏,郭颖旦,杨建宋. Ga12-nAs n(n=0~12)系列团簇基态结构及稳定性的研究[J]. 杭州师范学院学报(自然科学版), 2015, 0(4)
作者姓名:潘仁奇  姜科  朱挥毫  王秀敏  郭颖旦  杨建宋
作者单位:1. 杭州师范大学经亨颐学院,浙江 杭州,311121
2. 杭州师范大学理学院,浙江 杭州,310036
基金项目:国家自然科学基金项目(11274084).
摘    要:在基于第一性原理的ADF程序平台上,对Ga12-n Asn (n=0~12)系列团簇的基态结构、能量、能隙、电离能和亲和势等物理性质进行了随机筛选和精确计算.对结果的分析表明,随着 n的增加,团簇的总能量几乎呈线性下降,电离能从5.9eV上升到7.3eV,亲和能在2.0~2.7eV之间波动,电离能比亲和能大,HO‐MO‐LUMO能隙从0.6 eV上升到2.2 eV ,并在 n=4~9之间,呈现明显的奇偶性振荡,与能量的二阶差分所显示的相一致,表明在 n=3、5、11处团簇将具有较高的稳定性.

关 键 词:砷化镓团簇  基态结构  能量  稳定性

Ground-state Structure and Stability of Ga12 - nAsn (n=0~12)Cluster
PAN Renqi,JIANG Ke,ZHU Huihao,WANG Xiumin,GUO Yingdan,YANG Jiansong. Ground-state Structure and Stability of Ga12 - nAsn (n=0~12)Cluster[J]. Journal of Hangzhou Teachers College(Natural Science), 2015, 0(4)
Authors:PAN Renqi  JIANG Ke  ZHU Huihao  WANG Xiumin  GUO Yingdan  YANG Jiansong
Abstract:
Keywords:gallium arsenide cluster  ground-state structure  energy  stability
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