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光敏CdS:Cu·Bi多晶材料的制备和性能研究
作者姓名:崔东林
作者单位:西北大学化学系 西安710069(崔东林),天津复印技术研究所 天津300073(王翠钰)
基金项目:国家机械委员会“七五”重点研制项目
摘    要:文献[1—3]报道了在CdS中掺入CuSO_4和In_2(SO_4)_3,并且在高比例助熔刘NaCl-CdCl_2(CdS:混合助熔剂≤2:1)的条件下进行热处理而制得的光敏硫化镉(CdS:Cu·In),对红光敏感且抗湿性能强.本研究在CdS粉末中,除掺入CuCl_2外,还首次掺入适量的BiOCl,并且在较低助熔剂(CdS:混合助熔剂=5:1;NaCl:CdCl_2=1:4)下热处理,制备出了对红光具有敏感性和抗湿性强的CdS:Cu·Bi多晶材料,并且研究了它的化学组成和结晶状态.

关 键 词:多晶半导体 光敏硫化镉 硫化镉 敏感性 抗湿性
收稿时间:1994-01-12
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