N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

通过与热生长氧化物进行比较，对LPCVD氧化物及N2O氮化LPVCD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究，发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的面态密度Ditm及小的应力感应Ditm的增加，但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能，从而使击穿特性退化，在N2O氮化后，LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高，其机理在于N2O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2副产物的有效排除。