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石墨烯薄膜的生长及结构表征研究
引用本文:蔡晓岚,刘志涛,王菡,王晓敏,王永祯.石墨烯薄膜的生长及结构表征研究[J].太原理工大学学报,2013,44(3):317-320.
作者姓名:蔡晓岚  刘志涛  王菡  王晓敏  王永祯
作者单位:太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024
基金项目:山西省自然科学基金,山西省科技攻关资助项目,太原市科技资助项目
摘    要:在常压条件下,以铜箔为基底、CH4为碳源,通过化学气相沉积法(CVD)生长出了石墨烯薄膜。利用拉曼光谱、扫描电子显微镜、四探针电导率仪表征分析了产物。结果表明:生长温度为1 000℃,H2流量为60mL/min,CH4流量为2.5mL/min,Ar流量为80mL/min时,在基底表面生长出了连续分布的石墨烯薄膜,且大部分区域为单层,同时结晶程度高缺陷小;转移后的石墨烯薄膜面积大、透光性良好,兼具有良好的导电性,其薄层电阻为1 822Ω。

关 键 词:石墨烯  常压  化学气相沉积  结构表征

Growth and Structural Characterization of Graphene Film
CAI Xiaolan , LIU Zhitao , WANG Han , WANG Xiaomin , WANG Yongzhen.Growth and Structural Characterization of Graphene Film[J].Journal of Taiyuan University of Technology,2013,44(3):317-320.
Authors:CAI Xiaolan  LIU Zhitao  WANG Han  WANG Xiaomin  WANG Yongzhen
Institution:(College of Material Science and Engineering,TUT,Taiyuan 030024,China)
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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