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LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告
引用本文:罗晏,唐景庭,李雪春,卢志恒.LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告[J].北京师范大学学报(自然科学版),2002,38(2):204-207.
作者姓名:罗晏  唐景庭  李雪春  卢志恒
作者单位:1. 北京师范大学低能核物理研究所,100875;北京北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,100875,北京;2. 信息产业部电子第四十八研究所,410111,长沙;3. 北京师范大学物理学系,100875,北京;4. 北京师范大学物理学系,100875;北京北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,100875,北京
基金项目:国家自然科学基金;69976005;
摘    要:报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注氧层和表面硅层的厚度,并且还对注量进行了校正.

关 键 词:离子注入  SOI材料  背散射分析
修稿时间:2001年11月16日

REPORT ON O+ IMPLANTATION HOMOGENEITY OF LC-14 HIGH CURRENT OXYGEN IMPLANTOR BY MEANS OF RBS
Luo Yan , Tang Jingting Li Xuechun Lu Zhiheng ,.REPORT ON O+ IMPLANTATION HOMOGENEITY OF LC-14 HIGH CURRENT OXYGEN IMPLANTOR BY MEANS OF RBS[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2002,38(2):204-207.
Authors:Luo Yan  Tang Jingting Li Xuechun Lu Zhiheng  
Institution:Luo Yan 1,4) Tang Jingting 2) Li Xuechun 3) Lu Zhiheng 3,4)
Abstract:The application of double exponent function to fit the RBS spectra of high dose oxygen implanted silicon successfully separates the oxygen peaks from RBS spectra. The results demonstrate that the standard error of homogeneity of oxygen implantation dose is 2.3%, which reaches the design requirement. The thickness of oxygen implanted layer and the thickness of surface Si layer are calculated, and the implantation dose is calibrated as well.
Keywords:ion implantation  SOI material  RBS analysis
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