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| 砷在锗中的扩散 | |
| 引用本文： | 彭少麒,姚杰.砷在锗中的扩散[J].中山大学学报(自然科学版),1964(3). |
| 作者姓名： | 彭少麒 姚杰 |
| 作者单位： | 中山大学物理系 (彭少麒)，中山大学物理系(姚杰) |
| 摘 要： | 在恒定温度800℃之下进行了在砷的表面浓度范围为1.9×10~(18)-4.9×10~(19)原子/厘米~2,以及锗材料中含铟浓度范围为4×10~(14)-1×10~(17)原子/厘米~3的砷以气相散入锗的研究。扩散系数是利用测量扩散层的P-n 结方法来决定的,而杂质在扩散层中的浓度分布则用连续腐蚀法结合四探针电导测量来决定。发现扩散系数是随着P-型锗的纯度增加而逐渐增大,以及随着砷的表面浓度增大而增大(在N_s>2.3×10~8原子/厘米~3的区域),同时发现扩散层中砷的浓度分布显著地偏离于理论分布。对于体内杂质浓度以及砷的表面浓度对扩散系数所起的作用进行了一些讨论. |
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