基于0.5 μm CMOS工艺的BOOST变换器设计 |
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引用本文: | 丁玲,余昭杰,李靖,周泉,杜国同,常玉春.基于0.5 μm CMOS工艺的BOOST变换器设计[J].吉林大学学报(信息科学版),2012,30(1):1-4. |
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作者姓名: | 丁玲 余昭杰 李靖 周泉 杜国同 常玉春 |
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作者单位: | 吉林大学 a.电子科学与工程学院;b.集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61076046);吉林省科技发展计划基金资助项目(20100501);吉林大学前沿科学与交叉创新基金资助项目(200903088) |
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摘 要: | 针对便携式通信设备对DC-DC变换器的输出电压纹波和效率要求较高的问题,提出了一种同步整流模式的BOOST型DC-DC变换器电路,以提高芯片的转换效率。该设计采用CSMC (Central Semiconductor Manufacturing Corporation)0.5 μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,并利用0.5 μm双层多晶硅三层金属的CMOS工艺实现了电路的版图绘制。仿真结果证明,变换器能稳定输出电压,并具有较小的电压纹波和较高的转换效率等优点。
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关 键 词: | 升压型变换器 同步整流 DC-DC变换器 |
收稿时间: | 2011-11-23 |
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