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基于0.5 μm CMOS工艺的BOOST变换器设计
引用本文:丁玲,余昭杰,李靖,周泉,杜国同,常玉春.基于0.5 μm CMOS工艺的BOOST变换器设计[J].吉林大学学报(信息科学版),2012,30(1):1-4.
作者姓名:丁玲  余昭杰  李靖  周泉  杜国同  常玉春
作者单位:吉林大学 a.电子科学与工程学院;b.集成光电子学国家重点联合实验室,长春 130012
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61076046);吉林省科技发展计划基金资助项目(20100501);吉林大学前沿科学与交叉创新基金资助项目(200903088)
摘    要:针对便携式通信设备对DC-DC变换器的输出电压纹波和效率要求较高的问题,提出了一种同步整流模式的BOOST型DC-DC变换器电路,以提高芯片的转换效率。该设计采用CSMC (Central Semiconductor Manufacturing Corporation)0.5 μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺,并利用0.5 μm双层多晶硅三层金属的CMOS工艺实现了电路的版图绘制。仿真结果证明,变换器能稳定输出电压,并具有较小的电压纹波和较高的转换效率等优点。

关 键 词:升压型变换器  同步整流  DC-DC变换器  
收稿时间:2011-11-23
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