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| GaAs／GexSi1—x系统的电子能带结构 | |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 摘 要： | 采用紧束缚方法计算生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金面上的应变ＧａＡｓ层以及生长在Ｓｉ（００１）面上的应变超晶格（Ｓｊ２）４／（ＧａＡｓ）的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响。 |
| 关 键 词： | 应变外延层 砷化镓 半导体 电子能带结构 硅 硒 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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