|
|||||
|
|
| GaP：V^3＋自旋允许谱的精细结构的研究 | |
| 引用本文： | 马健,杜懋陆.GaP：V^3＋自旋允许谱的精细结构的研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2000,23(2):153-155. |
| 作者姓名： | 马健 杜懋陆 |
| 作者单位： | ：马健(西南民族学院物理系，四川 成都 610041) |
| 摘 要： | 在ＧａＰ：Ｖ＾３＋晶体中，对＾３Ａ２→＾３Ｔ１（Ｆ），＾３Ａ２→＾３Ｔ１（Ｐ）以及＾３Ａ２→＾３Ａ２→＾３Ｔ２（Ｆ）３组自旋允许跃迁均已在实验中得到它们的精细结构。同时考虑静电、晶场自旋－轨道耦合作用，计算了ＧａＰ：Ｖ＾３＋的旋轨耦合分裂，理论计算与实验符合很好。此外，还对这３组自旋允许跃迁的精细结构进行了识别，结果表明，＾３Ａ２→＾３Ｐ１（Ｐ）跃迁的２条１３８７４，１３８９０和１３９４６ｃｍ＾－ |
| 关 键 词： | 自旋－轨道耦合 精细结构 磷化镓 自旋允许谱 |
| 文章编号： | 1001-8395(2000)02-0153-03 |
| 修稿时间： | 1999-10-26 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |