| 脉冲偏场对形成正、负VBL的影响 |
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| 引用本文： | 孙会元,聂向富,刘子军.脉冲偏场对形成正、负VBL的影响[J].河北师范大学学报(自然科学版),1995,19(3):9-41. |
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| 作者姓名： | 孙会元 聂向富 刘子军 |
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| 作者单位： | 河北师范大学物理系，邯郸三中 |
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| 摘 要： | 实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。
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| 关 键 词： | 垂直布洛赫线 哑铃畴 布洛赫线存贮器 |
Influence of Pulse Bias Fields on the Formation of Right or Left Hand Vertical Bloch Line Chains |
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| Sun Huiyuan,Nie Xiangfu,Liu Zijun.Influence of Pulse Bias Fields on the Formation of Right or Left Hand Vertical Bloch Line Chains[J].Journal of Hebei Normal University,1995,19(3):9-41. |
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| Authors: | Sun Huiyuan Nie Xiangfu Liu Zijun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Vertical Bloch line dumbbell domain Bloch line memory |
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