| 退火温度对Nb掺杂SrTiO_3薄膜光电化学性能的影响(英文) |
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| 引用本文： | 王改田,涂江平,王淑芬,王秀丽.退火温度对Nb掺杂SrTiO_3薄膜光电化学性能的影响(英文)[J].中山大学学报(自然科学版),2007(Z1). |
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| 作者姓名： | 王改田 涂江平 王淑芬 王秀丽 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料科学与工程系 浙江杭州310027 |
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| 摘 要： | 研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上,在300～600℃退火处理后,采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1.3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO/Ni/储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO薄膜热处理温度的升高,阳极光电流和光充电性能先增大后减小。
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| 关 键 词： | 钛酸锶 储氢合金 光充电 退火温度 |
Influence of Annealing Temperature on Photoelectrochemical Performance of Nb-doped SrTiO_3 Film |
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| WANG Gai-tian,TU Jing-ping,WANG Shu-fen,WANG Xiu-li.Influence of Annealing Temperature on Photoelectrochemical Performance of Nb-doped SrTiO_3 Film[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Sunyatseni,2007(Z1). |
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| Authors: | WANG Gai-tian TU Jing-ping WANG Shu-fen WANG Xiu-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Strontium titanate hydrogen storage alloy photoelectrochemical performance annealing temperature |
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