| STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析 |
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| 引用本文： | 徐跃,闫锋. STI应力对90nm SONOS存储器的影响分析[J]. 南京邮电大学学报(自然科学版), 2010, 30(4) |
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| 作者姓名： | 徐跃 闫锋 |
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| 作者单位： | 1. 南京邮电大学,电子科学与工程学院,江苏,南京,210046
2. 南京大学,电子科学与工程学院,江苏,南京,210093 |
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| 摘 要： | 随着CMOS工艺按比例缩小到90 nm以下,浅沟槽隔离(STI)引起的机械应力对MOSFET器件性能的影响越来越严重.通过实验和TCAD仿真研究了STI应力对一种SONOS结构的90 nm非易失存储器的影响.实验和仿真结果表明由于受到STI压应力的作用,靠近STI的SONOS边角存储单元和远离STI的中心存储单元存在阈值电压分布不一致的问题.为了减小STI应力对边角存储单元的影响,分别采用STI recess和STI Si3N4 liner两种工艺去减缓STI产生的压应力.TCAD仿真结果表明采用STI Si3N4 liner工艺后边角存储单元受到的STI压应力比原有的基本工艺降低了20%以上.
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| 关 键 词： | 浅沟道隔离 机械应力 非易失存储器 氮化硅衬垫 |
Analysis of Influence of STI-induced Stress on 90 nm SONOS Memory |
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| XU Yue,YAN Feng. Analysis of Influence of STI-induced Stress on 90 nm SONOS Memory[J]. JJournal of Nanjing University of Posts and Telecommunications, 2010, 30(4) |
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| Authors: | XU Yue YAN Feng |
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