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| 新型功率半导体器件IGCT的核心技术 | |
| 引用本文： | 王颖,李双美,白纪彬,朱长纯,姚振华,吴春瑜. 新型功率半导体器件IGCT的核心技术[J]. 辽宁大学学报(自然科学版), 2002, 29(2): 115-120 |
| 作者姓名： | 王颖 李双美 白纪彬 朱长纯 姚振华 吴春瑜 |
| 作者单位： | 1. 辽宁大学物理系,辽宁,沈阳,110036 2. 西安电力电子研究所,陕西,西安,710061 3. 西安交通大学电子信息与工程学院,陕西,西安,710049 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（69876013）资助项目，辽宁省科技厅自然科学基金（002021）资助项目，辽宁省教育厅自然基金（20021076）资助项目 |
| 摘 要： | 在目前的中电压大功率应用领域，占主导地位的功率半导体器件有晶闸管，GTO和IGBT等，这些传统的功率器件在产用方面都存在一些缺陷，ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件－IGCT，它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性，结构紧凑，低损耗的特点，在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件，本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍，并着重对四项核心技术；缓冲层，透明阳极，逆导和集成门极技术，以及它们对器件性能的改善进行阐述。 |
| 关 键 词： | 功率半导体器件 IGCT 核心技术 缓冲层 透明阳极 逆导技术 集成门极 绝缘栅双极型晶体管 |
| 文章编号： | 1000-5846(2002)02-0115-06 |
| 修稿时间： | 2001-08-23 |
A Nucleus Technology of a New Power Semiconductor Device- IGCT |
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| WANG Ying,LI Shuang-mei,BAI Ji-bin,ZHU Chang-chun,YAO Zhen-hua,WU Chun-yu. A Nucleus Technology of a New Power Semiconductor Device- IGCT[J]. Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition), 2002, 29(2): 115-120 | |
| Authors: | WANG Ying LI Shuang-mei BAI Ji-bin ZHU Chang-chun YAO Zhen-hua WU Chun-yu |
| Abstract: | Today ordinary thyristor,GTO and IGBT play an important role in the applications of power semiconductor device for medium-voltage, and high power levels. However, these traditional power devices have some drawbacks. ABB Semiconductors have designed and produced a new power semiconductor device-IGCT. It has characteristics of large current, high power, high voltage, high switch frequency, proven reliability, low losses and so on. IGCT' s capacity is obviously beyond prevalent power device-GTO, IGBT. This paper introduced IGCT devices and its working principle briefly, the important parts were IGCT's nucleus technology and the improvement of device capaci-ty. |
| Keywords: | IGCT buffer layer transparent anode reverse conduction integrated gate drive. |
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