| Ga2O3掺杂的(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3无铅压电陶瓷的微观结构与性能研究 |
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| 引用本文： | 付玲玲,樊喜明,孙海玲,万洋,游庆,徐成刚.Ga2O3掺杂的(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3无铅压电陶瓷的微观结构与性能研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2013(3):413-416. |
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| 作者姓名： | 付玲玲 樊喜明 孙海玲 万洋 游庆 徐成刚 |
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| 作者单位： | 四川师范大学化学与材料科学学院 |
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| 基金项目： | 四川省应用基础基金(2008JY0107);四川省教育厅自然科学重点基金(09ZA093)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用传统陶瓷烧结工艺制备了(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3+x(质量分数)Ga2O3无铅压电陶瓷,研究了掺杂不同Ga2O3含量对(K0.44Na0.5Li0.06)(Nb0.89Ta0.05Sb0.06)O3陶瓷的晶相、微观结构和电学性能的影响.研究结果表明:x在0～2变化范围内,陶瓷为单一四方相的钙钛矿结构,具有良好的铁电性能;随着体系中Ga2O3含量的增加,陶瓷的最佳烧结温度逐渐降低;Ga2O3的掺杂导致陶瓷晶粒变小,陶瓷的铁电四方相-顺电立方相的转变温度即居里温度TC有少许上升,但陶瓷的压电性能明显劣化.
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| 关 键 词： | 无铅压电陶瓷 KNN Ga2O3 结构 性能 |
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