|
|||||
|
|
| 一种新的HEMT器件I—V特性解析模型 | |
| 引用本文： | 黄艺,沈楚玉.一种新的HEMT器件I—V特性解析模型[J].东南大学学报(自然科学版),1996,26(4):15-19. |
| 作者姓名： | 黄艺 沈楚玉 |
| 摘 要： | 提出了一种考虑速度对冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型，在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，经实际计算结果表明，本模型具有比较高的精度。 |
| 关 键 词： | 电流－电压特性 异质结 场效应晶体管 速度过冲 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |