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AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究
引用本文:刘春玲,王春武,王静,张刚,王丽娟,崔海霞,王欢.AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究[J].松辽学刊,2006,27(3):24-25.
作者姓名:刘春玲  王春武  王静  张刚  王丽娟  崔海霞  王欢
作者单位:[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000 [2]长春理工大学,吉林长春130022 [3]四平市计量检定测试二所,吉林四平136000
摘    要:本文采用波长都是808nm,有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器,针对其热特性做了对比实验.结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器.在20℃时,特征温度可达到200K,阈值电流380mA,而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器,最大寿命达4000h,这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据,也拓宽了808nm激光材料的选择范围.

关 键 词:半导体激光器  热特性  应变量子阱
文章编号:1000-1840-(2006)03-0024-02
收稿时间:2006-03-06
修稿时间:2006年3月6日

The Research of AlInGaAs and AlGaAs Lasers Thermal Characteristics Contrast Experiments
LIU Chun-ling,WANG Chun-wu,WANG Jing,ZHANG Gang,WANG Li-juan,CIU Hai-xia,WANG Huan.The Research of AlInGaAs and AlGaAs Lasers Thermal Characteristics Contrast Experiments[J].Songliao Journal (Natural Science Edition),2006,27(3):24-25.
Authors:LIU Chun-ling  WANG Chun-wu  WANG Jing  ZHANG Gang  WANG Li-juan  CIU Hai-xia  WANG Huan
Institution:1. College of lnformaticm and Technology, Jilin Normal University, Siping 136000, China; 2. Changchun Universily of Science and Technology, Changchun 130022, China; 3.No2 Graduate School of Measures and Identifying in Siping, Siping 136000, China
Abstract:
Keywords:semiconductor lasers  thermal characteristics  strained quantum well
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